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IEC 60749-23:2025
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life- 발행일 : 2025-12-09
- 발행기관 : IEC
상세정보
| 분야 | TC 47 : Semiconductor devices |
|---|---|
| 적용범위 | IEC 60749-23:2025 specifies the test used to determine the effects of bias conditions and temperature on solid state devices over time. It simulates the device operating condition in an accelerated way and is primarily for device qualification and reliability monitoring. A form of high temperature bias life using a short duration, popularly known as "burn-in", can be used to screen for infant-mortality related failures. The detailed use and application of burn-in is outside the scope of this document. This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition: a) absolute stress test definitions and resultant test durations have been updated. |
| 국제분류(ICS)코드 | 31.080.01 : 반도체 장치 일반 |
| 페이지수 | 19 |
| Edition | 2.0 |
이력정보
| No. | 표준번호 | 표준명 | 발행일 | 상태 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | IEC 60749-23:2025상세보기 | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life | 2025-12-09 | 표준 |
| 2 | IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV상세보기 | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life | 2011-03-30 | 구판 |
| 3 | IEC 60749-23:2004/AMD1:2011상세보기 | Amendment 1 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life | 2011-01-27 | 구판 |
| 4 | IEC 60749-23:2004상세보기 | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life | 2004-02-23 | 구판 |
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